Мощный ИК-светодиод 1 Вт на 850 нм используется для подсветки камер в системах ночного видения. Подходит для CCTV, CCD/CMOS-матриц и самодельных сборок на Raspberry Pi, где нужно ИК-излучение без видимого спектра. В эксплуатации активируется по датчику освещенности для экономии энергии.
Корпус с силиконовой линзой защищает чип AlGaAs, электроды с Ag-покрытием на медной основе снижают сопротивление контакта. Кристалл на серебряной пасте отводит тепло эффективнее стандартных решений. Фоторезистор и подстроечник позволяют настроить порог включения под конкретную среду — удобно при установке без доп. контроллеров.
Параметры: рассеиваемая мощность 1 Вт при 700 мА максимум, рабочий ток 350 мА дает 70-120 мВт радиантной мощности. Напряжение 1,6 В, пик 850 нм (спектр 50 нм), угол 140°. Обратный ток <10 мкА, теплосопротивление 45 °C/Вт — без радиатора на номинале узел греется до 85 °C за минуты, всегда ставьте MCPCB с vias. Диапазон -40…+85 °C, Tj max 125 °C.
На объектах освещает 5-15 м с четким монохромным сигналом, без засвета от фонарей. В связке с Pi фоторезистор ловит сумерки, резистор калибруется под уличные/комнатные условия — на практике это упрощает монтаж. По сравнению с 940 нм, 850 нм лучше ловится сенсорами, но дает слабый красный шлейф; плотность излучения выше, чем у SMD-массивов, при меньшем потреблении.
Отличие от мелких диодов — единый чип с высокой интенсивностью 10-30 мВт/ср, но критична термостабилизация. ESD-чувствителен, добавляйте защиту в схему. При 350 мА непрерывно ресурс 50 тыс. ч, импульсный режим удваивает срок.
Технические характеристики
- Мощность: 1 Вт
- Длина волны пика: 850 нм
- Ширина спектра: 50 нм
- Напряжение вперед (IF=350 мА): 1,0-2,5 В
- Ток вперед max: 700 мА
- Радиантная мощность (IF=350 мА): 70-120 мВт
- Интенсивность (IF=350 мА): 10-30 мВт/ср
- Угол обзора 2θ1/2: 140°
- Теплосопротивление: 45 °C/Вт
- Температура эксплуатации: -40…+85 °C
- Чип: AlGaAs
