Генератор помех (Lora/Ldmos) 100 Вт 150-7250 Мгц

Модуль предназначен для формирования мощной заградительной помехи и гарантированного подавления сигнала в условиях, где низко- и среднемощные решения неэффективны (например, при значительном расстоянии до цели, высоком уровне фоновых шумов или необходимости мгновенного и полного блокирования широкого спектра частот).

Увеличенная до 100 Вт выходная мощность, часто реализованная на базе LDMOS- или GaN-транзисторов, обеспечивает радикально больший радиус эффективного действия. Ключевым преимуществом данного генератора помех 100 Вт является использование высоконадежных LDMOS-транзисторов (или GaN) в сочетании с интегрированным циркулятором. Применение циркулятора обеспечивает критически важную защиту выходного каскада от отраженной мощности (высокого КСВН), что существенно продлевает срок службы модуля и гарантирует стабильную работу даже при несогласованной нагрузке или повреждении антенны. Технические особенности включают:

• Высокая спектральная плотность: Модуляция ЛЧМ (Линейно-частотная модуляция) обеспечивает чистоту сигнала помехи и высокую эффективность подавления в целевом диапазоне, а не просто «тепловой шум».
• Широкий частотный охват: Модуль доступен в конфигурациях для работы в критических диапазонах, включая 200-300 МГц, 300-400 МГц, 400-700 МГц, 2100-2400 МГц, 2400-2700 МГц, а также специализированные частоты LoRa/Lora и навигационные 1.5G.
• Пиковая мощность: Способность достигать пиковой мощности до 150-200 Вт, что обеспечивает высокий запас усиления и стабильность работы.
• Надежное охлаждение: Усиленный теплоотвод необходим для рассеивания значительной тепловой энергии, выделяемой при 100 Вт мощности, гарантируя защиту от перегрева.

Технические характеристики

• Название модели: JMR-PRO-100W-LDMOS
• Страна производителя: Зависит от комплектации (Сборка/Кастомизация РФ)
• Тип устройства: Высокомощный модуль Генератора помех 100 Вт
• Выходная мощность (номинальная): 100 Вт
• Выходная мощность (пиковая): До 150-200 Вт
• Рабочий частотный диапазон: Настраиваемый в пределах 200 МГц – 5.8 ГГц
• Типовые диапазоны: 200-300 МГц, 300-400 МГц, 400-700 МГц, 2100-2400 МГц, 2400-2700 МГц.
• Технология транзистора: LDMOS/GaN
• Интегрированный элемент: Циркулятор (для защиты от высокого КСВН)
• Тип модуляции: ЛЧМ (Линейно-частотная модуляция)
• Напряжение питания DC: Типовое 28 В (зависит от конфигурации)
• Потребляемая мощность (макс., расчетная): 0.448 кВт⋅ч (при 28 В / 16 А)
• Термозащита: Активная и пассивная (усиленный теплоотвод)
• Интерфейс: Стандартизированный РЧ-разъем (N-тип или SMA-KFD)
• Габаритные размеры: Определяются конфигурацией радиатора